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  LED裝配過程中必須加強(qiáng)防靜電措施,因?yàn)椴僮鬟^程和人體本身都會(huì)產(chǎn)生靜電,而雙電極的LED最易被靜電反向擊穿,從而嚴(yán)重影響LED的使用壽命甚至使其完全報(bào)廢,。如果防靜電環(huán)境不是非常完善,可以給LED使用者佩戴防靜電腕帶(防靜電環(huán)),并為防靜電腕帶和操作臺(tái)設(shè)置良好的防靜電接地系統(tǒng),、離子風(fēng)機(jī)等設(shè)備,。雙電極的LED在封裝時(shí)可并聯(lián)齊納二極管(穩(wěn)壓二極管)以保護(hù)LED,。
  LED是用GaN基構(gòu)成的器件,由于是寬禁帶半導(dǎo)體材料,所以其電阻率較高,對于In gaN,、 AIGaN,、GaN的雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)藍(lán)光LED,其ngaN的有源層的厚度一般只有幾十納米,。這種LED的兩個(gè)正,、負(fù)電極在芯片同一面上,兩者之間距離很小,若兩端的靜電電荷累積到一定值,會(huì)將PN結(jié)擊穿,使其漏電增大,嚴(yán)重時(shí)PN結(jié)擊穿短路,LED失效,。正是因?yàn)榇嬖陟o電威脅,所以對于上述結(jié)構(gòu)的LED芯片和器件在加工過程中對加工場地,、機(jī)器、工具,、儀器及員工服裝等均要采取防靜電措施,確保不損傷LED,。另外,在芯片和器件的包裝上也要用防靜電的材料。也有從襯底材料,、外延結(jié)構(gòu)和芯片結(jié)構(gòu)上改進(jìn)的,這在很大程度上解決了防靜電擊穿的問題,例如,用SC做襯底,使P和N的兩個(gè)電極從兩個(gè)面引出,可以在較大程度上解決這一問題;再如,用 Flip-Chip,在 LED PN結(jié)的硅片上制作兩個(gè)背對背穩(wěn)壓管鉗位以保護(hù) LED PN結(jié)不受靜電威脅,。當(dāng)然,從應(yīng)用角度講,在使用LED時(shí)也可以加裝保護(hù)電路。
  ESD普遍被認(rèn)為是許多半導(dǎo)體器件制造,、運(yùn)輸和裝卸過程中的一種常見危害,。通常靜電放電模型有人體模式、機(jī)器模式,。如(人體模式)人體活動(dòng)時(shí)身體與衣服之間的摩擦產(chǎn)生摩擦電荷,當(dāng)人們接觸靜電敏感裝置而不事先泄放電荷到大地,電荷將會(huì)移向ESD敏感的裝置(LED為對靜電極其敏感的電子元器件)而造成損壞,。
  人體靜電對LED的損害也是很大的,工作時(shí)應(yīng)穿防靜電服裝,佩戴靜電環(huán),靜電環(huán)應(yīng)接地良好。靜電放電的電壓一般為幾千伏,。而碳化硅襯底芯片的ESD值只有1100V,藍(lán)寶石襯底芯片的ESD值就更低,只有500~600V,。一個(gè)好的芯片或LED,如果用手去拿(身體未采取任何防護(hù)措施),則芯片或LED將受到不同程度的損害。